考試內(nèi)容和考試要求
1、半導體晶體結(jié)構和半導體的結(jié)合性質(zhì);
2、半導體中的電子狀態(tài):半導體能帶的形成,Ge、Si、GaAs能帶結(jié)構,有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)和缺陷能級;
3、熱平衡下半導體載流子的統(tǒng)計分布:狀態(tài)密度、費米能級、本征半導體和雜質(zhì)半導體的載流子濃度,簡并半導體和重摻雜效應;
4、半導體的導電性:半導體導電原理,載流子的漂移運動、遷移率、散射機構,半導體電阻率(電導率)隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律,強電場效應、熱載流子,負阻效應;
5、非平衡載流子:非平衡載流子與準費米能級,非平衡載流子注入與復合,復合理論,非平衡載流子壽命,愛因斯坦關系,載流子漂移、擴散運動,缺陷效應,連續(xù)性方程;
6、pn結(jié):平衡與非平衡pn結(jié)特點及其能帶圖,pn結(jié)的I-V特性、電容特性、開關特性、擊穿特性;
7、 金屬和半導體接觸:半導體表面態(tài),表面電場效應,金屬與半導體接觸特性、MIS結(jié)構電容-電壓特性,
8、半導體異質(zhì)結(jié):異質(zhì)結(jié)的形成機理、能帶圖;
9、半導體的光學性質(zhì)及光電效應:半導體的光吸收,半導體光電導,半導體光生伏特效應,半導體發(fā)光及半導體激光器;
10、半導體熱電、磁電及壓阻效應:半導體熱傳導及熱電效應,半導體的霍耳效應,半導體的壓阻效應。
備注
選讀書目
1、《半導體物理學》,劉恩科等編,國防工業(yè)出版社。
2、《半導體物理學基礎教程》,馮文修等編,國防工業(yè)出版社
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